酸化物薄膜トランジスタ（酸化物TFT）が、UV照射と静置のみという簡便な工程で電気特性を改善できるようになった。
次世代デバイスの製造を容易にする室温プロセス
工学院大学の相川慎也教授（電気電子工学科）は、高温での熱処理やオゾン処理を必要としない新しい酸化物TFTの作製技術を開発しました。この手法はUV照射と静置のみで電気特性を向上させるもので、空気中で実施可能なため特殊なガス供給装置も不要です。また、UV照射による意図しない加熱を抑制し、基板温度を30℃未満に保つ室温プロセスを実現しました。
熱に弱い材料への応用と産業展開
従来、酸化物TFTの作製には熱処理が必要であり、使用できる基板材料に制限がありました。本技術は熱処理を省けるため、耐熱性の低いフレキシブル基板などを活用したデバイス設計の自由度が高まります。今後はフレキシブルディスプレイ、タッチパネル、センサーなどのほか、半導体積層プロセスの低温化を通じた幅広い産業分野への応用が見込まれます。なお、本研究に関する特許として、発明者：相川慎也、山寺真理、出願人：学校法人工学院大学による特願2025-021797および特願2024-146809が出願されています。
大学見本市2026での出展
最新の研究成果は、東京ビッグサイトで開催される大学見本市2026～イノベーションジャパンにて紹介されます。企業との連携を通じ、社会実装を目指します。
イベント概要
日時：2026年8月27日（木）・28日（金） 10:00-17:00
開催場所：東京ビッグサイト 南展示棟 南1ホール
参加料：無料
事前申込：必要
技術紹介ブース：C-045
ピッチプレゼンテーション：2026年8月28日（金） 13:50-13:55 ピッチステージA
